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双腔体去胶机 Model:PSSD2000
适用工艺:
晶圆生产各种工艺中的光刻胶去除
标准8吋、6吋、4吋片,超薄片,透明片
特色工艺片去胶工艺
设备特点:
双腔体,双stage设计,增加产出
兼容高温、超低温工艺
刻蚀速率高,均匀度好
Descum性能好
单腔体去胶机 Model:PSMS2000
适用工艺:
晶圆生产各种工艺中的光刻胶去除
标准8吋、6吋、4吋片,超薄片,透明片
特色工艺片去胶工艺
设备特点:
占地面积小
单腔体手动传片设计;适合各异型实验片
兼容高温、超低温工艺
刻蚀速率高、均匀度好
基材损伤小
金属刻蚀机 Model:PMTE2000
适用工艺:
晶圆生产中的金属刻蚀
适用于AI-Si-Cu,Ti/TiN等工艺
标准8吋片、6吋片金属刻蚀工艺
设备特点:
采用13.56MHz射频源,双RF系统设计
刻蚀速率搞,均匀度好
刻蚀角度调整范围宽
基材损伤小
深槽刻蚀机 Model:PDSE2000
适用工艺:
晶圆生产中的深硅刻蚀
SiC刻蚀
标准8吋片、6吋片
设备特点:
适用于MEMS及先进封装领域的深硅刻蚀、以及第三代半导体的SiC刻蚀
采用高功率射频双等离子源,并具有连续或脉冲的射频偏压气体切换相应迅速
配置重点检测装置;低scallops,光滑的侧壁轮廓
高蚀刻速率;高选择比;高均匀度;高深宽比
垂直等离子蚀刻清洗机
应用范围:
高频板特氟龙(PTFE)材料的改性,提高亲水性,减少孔空洞
高Tg,高厚径比,高层板除孔胶,提高内层连接的可靠性
载板超细线路干膜,油墨显影后去残胶,提高合格率
激光钻去碳灰,提高孔连接的可靠性
刚挠板去孔胶,改善软硬板材料咬蚀的一致性,提高孔壁质量
刚挠板压合前软板材料的粗化,提高压合结合力
贵金属前处理,去除表面油污,提高合格率
BGA和金手指表面氧化去除和活化,提升金属溅镀/可焊性能
水平等离子蚀刻清洗机
应用范围:
双面板及多层板孔内除胶渣
内层PI膜粗化,提高压合的接合力,拉力值可以增大10倍以上
镍钯金、沉镍金、电镍金前的表面清洗,杜绝BGA和金手指漏镀的情况
LCD领域:模组板去除金手指氧化和压合保护膜过程中溢胶等污染物
补强材料:FR-4、钢片、铝片表面粗化,提高与软板接合力
RTR等离子蚀刻清洗机
应用范围:
FPC孔内除胶、表面清洁
PI表面粗化及清洁
电子材料表面粗化、清洁
Coverlay表面粗化、清洁
挠性材料的表面清洁
真空连续式等离子设备
应用范围:
清洁Eless界面/改善Eless界面浸润性
表面活化,表面粗化度改性
粗化阻焊表面及清洁铜面赃物的作用
自动上下板及传送系统
设备特点:
双工位设计,换料不影响生产,AGV运输料架
治具尺寸可根据来料尺寸自动调整
最薄可生产0.036mm
可对接多台等离子
PH全自动In line系列
适用工艺:
半导体封装工艺中L/F、BGA等产品
在W/B前和成型前的清洗
设备特点:
独特的腔型设计,自动连线装置,高生产效率
PE16系列
适用工艺:
PI表面粗化及清洁
PSS的蚀刻
ITO膜的蚀刻
半导体硅片PN结的去除
Wire Bonding前焊盘的表面清洗
设备特点:
产品放置治具灵活多变,可适应不规则的产品
⽔平电极设计、垂直电极两种选择,可满⾜软性产品处理需求
低耗能、耗⽓产品
便捷的收放板⽅式
真空系统集成,占地⾯积⼩
合理的等离⼦反应空间,使处理更均匀
集成的控制系统设计,使操作更⽅便
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