半导体领域
PCB、载板领域
封装与光电领域
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双腔体去胶机 Model:PSSD2000

适用工艺:

晶圆生产各种工艺中的光刻胶去除

标准8吋、6吋、4吋片,超薄片,透明片

特色工艺片去胶工艺


设备特点:

双腔体,双stage设计,增加产出

兼容高温、超低温工艺

刻蚀速率高,均匀度好

Descum性能好


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单腔体去胶机 Model:PSMS2000

适用工艺:

晶圆生产各种工艺中的光刻胶去除

标准8吋、6吋、4吋片,超薄片,透明片

特色工艺片去胶工艺


设备特点:

占地面积小

单腔体手动传片设计;适合各异型实验片

兼容高温、超低温工艺

刻蚀速率高、均匀度好

基材损伤小


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金属刻蚀机 Model:PMTE2000

适用工艺:

晶圆生产中的金属刻蚀

适用于AI-Si-Cu,Ti/TiN等工艺

标准8吋片、6吋片金属刻蚀工艺


设备特点:

采用13.56MHz射频源,双RF系统设计

刻蚀速率搞,均匀度好

刻蚀角度调整范围宽

基材损伤小


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深槽刻蚀机 Model:PDSE2000

适用工艺:

晶圆生产中的深硅刻蚀

SiC刻蚀

标准8吋片、6吋片


设备特点:

适用于MEMS及先进封装领域的深硅刻蚀、以及第三代半导体的SiC刻蚀

采用高功率射频双等离子源,并具有连续或脉冲的射频偏压气体切换相应迅速

配置重点检测装置;低scallops,光滑的侧壁轮廓

高蚀刻速率;高选择比;高均匀度;高深宽比


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           垂直等离子蚀刻清洗机

           应用范围:

              高频板特氟龙(PTFE)材料的改性,提高亲水性,减少孔空洞

              高Tg,高厚径比,高层板除孔胶,提高内层连接的可靠性

              载板超细线路干膜,油墨显影后去残胶,提高合格率

              激光钻去碳灰,提高孔连接的可靠性

              刚挠板去孔胶,改善软硬板材料咬蚀的一致性,提高孔壁质量

              刚挠板压合前软板材料的粗化,提高压合结合力

              贵金属前处理,去除表面油污,提高合格率

              BGA和金手指表面氧化去除和活化,提升金属溅镀/可焊性能



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水平等离子蚀刻清洗机

应用范围:

双面板及多层板孔内除胶渣

内层PI膜粗化,提高压合的接合力,拉力值可以增大10倍以上

镍钯金、沉镍金、电镍金前的表面清洗,杜绝BGA和金手指漏镀的情况

LCD领域:模组板去除金手指氧化和压合保护膜过程中溢胶等污染物

补强材料:FR-4、钢片、铝片表面粗化,提高与软板接合力


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RTR等离子蚀刻清洗机

应用范围:

FPC孔内除胶、表面清洁

PI表面粗化及清洁

电子材料表面粗化、清洁

Coverlay表面粗化、清洁

挠性材料的表面清洁


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             真空连续式等离子设备

             应用范围:

                 清洁Eless界面/改善Eless界面浸润性

                 表面活化,表面粗化度改性

                 粗化阻焊表面及清洁铜面赃物的作用


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             自动上下板及传送系统

             设备特点:

                 双工位设计,换料不影响生产,AGV运输料架

                 治具尺寸可根据来料尺寸自动调整

                 最薄可生产0.036mm

                 可对接多台等离子


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PH全自动In line系列

适用工艺:

半导体封装工艺中L/F、BGA等产品

在W/B前和成型前的清洗


设备特点:

独特的腔型设计,自动连线装置,高生产效率


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PE16系列

适用工艺:

PI表面粗化及清洁

PSS的蚀刻

ITO膜的蚀刻

半导体硅片PN结的去除

Wire Bonding前焊盘的表面清洗


设备特点:

产品放置治具灵活多变,可适应不规则的产品

⽔平电极设计、垂直电极两种选择,可满⾜软性产品处理需求

低耗能、耗⽓产品

便捷的收放板⽅式

真空系统集成,占地⾯积⼩

合理的等离⼦反应空间,使处理更均匀

集成的控制系统设计,使操作更⽅便



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