深槽刻蚀设备
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型号:TD-P408

主机尺寸:3256mm*2508mm*1841mm

使用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma Etching)方式,

采用独特设计的高密度等离子体源结构,

可以对等离子体密度和分布进行控制,

实现高刻蚀率及高均匀性的工艺指标。


应用范围
  • 适用于6-8寸化合物刻蚀(SiC、GaN、SOl wafer),TGV TCV等工艺,选择不同配置可以兼容TSV,DRiE等工艺
主要特征
深槽刻蚀设备
  • 高刻蚀速率,高产出

  • 优异的均匀性

  • 适应翘曲产品 

  • 易于维保,低运营成本